NGB8207NT4G
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
技術(shù)參數(shù):IGBT 365V 20A 165W D2PAK
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:NGB8207NT4G制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:IGBT 365V 20A 165W D2PAK系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):停產(chǎn)IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):365V電流-集電極(Ic)(最大值):20A電流-集電極脈沖(Icm):50A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.6V @ 4V,20A功率-最大值:165W開關(guān)能量:-輸入類型:邏輯柵極電荷:-25°C時Td(開/關(guān))值:-測試條件:-反向恢復(fù)時間(trr):-工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263ABNGB8207NT4G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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