FGA15N120ANDTU
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-3P-3,SC-65-3
技術(shù)參數(shù):IGBT 1200V 24A 200W TO3P
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FGA15N120ANDTU制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 1200V 24A 200W TO3P系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):停產(chǎn)IGBT類型:NPT電壓-集射極擊穿(最大值):1200V電流-集電極(Ic)(最大值):24A電流-集電極脈沖(Icm):45A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):3.2V @ 15V,15A功率-最大值:200W開關(guān)能量:3.27mJ(開),600μJ(關(guān))輸入類型:標準柵極電荷:120nC25°C時Td(開/關(guān))值:90ns/310ns測試條件:600V,15A,20 歐姆,15V反向恢復時間(trr):330ns工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-3P-3,SC-65-3FGA15N120ANDTU的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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