ULN2003ADR2G
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列,封裝:16-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
技術(shù)參數(shù):TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:ULN2003ADR2G制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC系列:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列零件狀態(tài):有源晶體管類型:7 NPN 達林頓電流-集電極(Ic)(最大值):500mA電壓-集射極擊穿(最大值):50V不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):1.6V @ 500μA,350mA電流-集電極截止(最大值):50μA不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V功率-最大值:-頻率-躍遷:-工作溫度:-20°C ~ 85°C(TA)安裝類型:表面貼裝型封裝:16-SOIC(0.154,3.90mm 寬)ULN2003ADR2G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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