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          NTR2101PT1G
        4. 制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
        5. 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:SOT-23-3(TO-236)
        6. 技術(shù)參數(shù):MOSFET P-CH 8V SOT23-3
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        10. 制造商產(chǎn)品型號:NTR2101PT1G
        11. 制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)
        12. 描述:MOSFET P-CH 8V SOT23-3
        13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
        14. 產(chǎn)品系列:-
        15. 零件狀態(tài):有源
        16. FET類型:P 通道
        17. 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
        18. 漏源電壓(Vdss):8V
        19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):3.7A(Ta)
        20. 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
        21. 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):52 毫歐 @ 3.5A,4.5V
        22. 不同Id時Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
        23. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):15nC @ 4.5V
        24. Vgs(最大值):±8V
        25. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1173pF @ 4V
        26. FET功能:-
        27. 功率耗散(最大值):960mW(Ta)
        28. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
        29. 安裝類型:表面貼裝型
        30. 器件封裝:SOT-23-3(TO-236)
        31. NTR2101PT1G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
        32. 點擊下圖下載技術(shù)文檔
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