NTMS4P01R2
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:8-SOIC
技術參數(shù):MOSFET P-CH 12V 3.4A 8SOIC
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參數(shù)詳情:
制造商產品型號:NTMS4P01R2制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:MOSFET P-CH 12V 3.4A 8SOIC系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產品系列:-零件狀態(tài):停產FET類型:P 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):12V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):3.4A(Ta)驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):45 毫歐 @ 4.5A,4.5V不同Id時Vgs(th)(最大值):1.15V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):35nC @ 4.5VVgs(最大值):±10V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1850pF @ 9.6VFET功能:-功率耗散(最大值):790mW(Ta)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:8-SOICNTMS4P01R2的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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