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          NTMFD1D4N02P1E
        4. 制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
        5. 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-PowerWDFN
        6. 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 20V 8PQFN
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        9. 參數(shù)詳情:
        10. 制造商產(chǎn)品型號:NTMFD1D4N02P1E
        11. 制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)
        12. 描述:MOSFET N-CH 20V 8PQFN
        13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
        14. 產(chǎn)品系列:-
        15. 零件狀態(tài):有源
        16. FET類型:2 N 溝道(雙)非對稱型
        17. FET功能:標(biāo)準(zhǔn)
        18. 漏源電壓(Vdss):25V
        19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):13A(Ta),74A(Tc),24A(Ta),155A(Tc)
        20. 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):3.3 毫歐 @ 20A,10V,1.1 毫歐 @ 37A,10V
        21. 不同Id時Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA,2V @ 800μA
        22. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):7.2nC @ 4.5V,21.5nC @ 4.5V
        23. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1180pF @ 13V,3603pF @ 13V
        24. 功率-最大值:960mW(Ta),1W(Ta)
        25. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
        26. 安裝類型:表面貼裝型
        27. 封裝:8-PowerWDFN
        28. NTMFD1D4N02P1E的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
        29. 點擊下圖下載技術(shù)文檔
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