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          產(chǎn)品參考圖片
          

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          NTMD6N03R2G
          

        3. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
          5. 

        5. 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
          6. 

        6. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號：NTMD6N03R2G
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
        10. 描述：MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
        11. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
        12. 產(chǎn)品系列：-
        13. 零件狀態(tài)：有源
        14. FET類型：2 N-通道（雙）
        15. FET功能：邏輯電平門
        16. 漏源電壓（Vdss）：30V
        17. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：6A
        18. 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：32 毫歐 @ 6A，10V
        19. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
        20. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：30nC @ 10V
        21. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：950pF @ 24V
        22. 功率-最大值：1.29W
        23. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
        24. 安裝類型：表面貼裝型
        25. 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
        26. NTMD6N03R2G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
          27. 

          

          

          

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