NTMD6N02R2G
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
技術參數(shù):MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
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參數(shù)詳情:
制造商產品型號:NTMD6N02R2G制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列產品系列:-零件狀態(tài):有源FET類型:2 N-通道(雙)FET功能:邏輯電平門漏源電壓(Vdss):20V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):3.92A不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):35 毫歐 @ 6A,4.5V不同Id時Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):20nC @ 4.5V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1100pF @ 16V功率-最大值:730mW工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)NTMD6N02R2G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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