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          ON安森美，安森美半導(dǎo)體，安森美代理商
          

          

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          NTLJS3D0N02P8ZTAG
          

        3. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類(lèi)別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：6-PQFN（2x2）
          5. 

        5. 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
          6. 

        6. （專(zhuān)注銷(xiāo)售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過(guò)電話、微信、QQ或郵件與銷(xiāo)售代表聯(lián)系詢(xún)價(jià)及采購(gòu)）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NTLJS3D0N02P8ZTAG
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
        10. 描述：MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
        11. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
        12. 產(chǎn)品系列：-
        13. 零件狀態(tài)：有源
        14. FET類(lèi)型：N 通道
        15. 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
        16. 漏源電壓（Vdss）：20V
        17. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：12.1A（Ta）
        18. 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
        19. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：3.8mOhm @ 10A，4.5V
        20. 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
        21. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 4.5V
        22. Vgs（最大值）：±12V
        23. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：2165pF @ 10V
        24. FET功能：-
        25. 功率耗散（最大值）：860mW（Ta）
        26. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
        27. 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
        28. 器件封裝：6-PQFN（2x2）
        29. NTLJS3D0N02P8ZTAG的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷(xiāo)售代表確認(rèn)。
          30. 

          

          

          

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