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          NTGD3147FT1G供應(yīng)商
          

          

          

          

          

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          NTGD3147FT1G
          

        3. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：6-TSOP
          5. 

        5. 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
          6. 

        6. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號：NTGD3147FT1G
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
        10. 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
        11. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
        12. 產(chǎn)品系列：-
        13. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
        14. FET類型：P 通道
        15. 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
        16. 漏源電壓（Vdss）：20V
        17. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：2.2A（Ta）
        18. 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
        19. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：145 毫歐 @ 2.2A，4.5V
        20. 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
        21. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：5.5nC @ 4.5V
        22. Vgs（最大值）：±12V
        23. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：400pF @ 10V
        24. FET功能：肖特基二極管（隔離式）
        25. 功率耗散（最大值）：1W（Ta）
        26. 工作溫度：-25°C ~ 150°C（TJ）
        27. 安裝類型：表面貼裝型
        28. 器件封裝：6-TSOP
        29. NTGD3147FT1G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
          30. 

          

          

          

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