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          NTD6600N-1G
          

        3. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：I-PAK
          5. 

        5. 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
          6. 

        6. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號：NTD6600N-1G
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
        10. 描述：MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
        11. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
        12. 產(chǎn)品系列：-
        13. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
        14. FET類型：N 通道
        15. 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
        16. 漏源電壓（Vdss）：100V
        17. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：12A（Ta）
        18. 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V
        19. 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：146 毫歐 @ 6A，5V
        20. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
        21. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 5V
        22. Vgs（最大值）：±20V
        23. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：700pF @ 25V
        24. FET功能：-
        25. 功率耗散（最大值）：1.28W（Ta），56.6W（Tc）
        26. 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
        27. 安裝類型：通孔
        28. 器件封裝：I-PAK
        29. NTD6600N-1G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
          30. 

          

          

          

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