NTD4906N-1G
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：I-PAK
技術參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：NTD4906N-1G制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產(chǎn)品系列：-零件狀態(tài)：停產(chǎn)FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：30V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：10.3A（Ta），54A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：5.5 毫歐 @ 30A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：24nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1932pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.38W（Ta），37.5W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：通孔器件封裝：I-PAKNTD4906N-1G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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