NTD18N06G
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:DPAK
技術參數(shù):MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:NTD18N06G制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:MOSFET N-CH 60V 18A DPAK系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):停產(chǎn)FET類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):60V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):18A(Ta)驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):60 毫歐 @ 9A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):710pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):2.1W(Ta),55W(Tj)工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:DPAKNTD18N06G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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