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          安森美（ON）產(chǎn)品標(biāo)志
          

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          NSVMUN5211DW1T2G
          

        3. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類別封裝：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置，封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
          5. 

        5. 技術(shù)參數(shù)：TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
          6. 

        6. （專注銷(xiāo)售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過(guò)電話、微信、QQ或郵件與銷(xiāo)售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購(gòu)）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NSVMUN5211DW1T2G
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
        10. 描述：TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
        11. 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置
        12. 零件狀態(tài)：有源
        13. 晶體管類型：2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）
        14. 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
        15. 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
        16. 電阻器-基極(R1)：10 千歐
        17. 電阻器-發(fā)射極(R2)：10 千歐
        18. 不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)（最小值）：35 @ 5mA，10V
        19. 不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA
        20. 電流-集電極截止（最大值）：500nA
        21. 頻率-躍遷：-
        22. 功率-最大值：385mW
        23. 安裝類型：表面貼裝型
        24. 封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
        25. NSVMUN5211DW1T2G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷(xiāo)售代表確認(rèn)。
          26. 

          

          

          

          點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
          

          NSVMUN5211DW1T2G的技術(shù)資料下載
          

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