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          NSVIMD10AMT1G供應商
          

          

          

          

          

          產(chǎn)品參考圖片
          

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          NSVIMD10AMT1G
          

        3. 制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類別封裝：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置，封裝：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
          5. 

        5. 技術參數(shù)：SURF MT BIASED RES XSTR
          6. 

        6. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號：NSVIMD10AMT1G
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）
        10. 描述：SURF MT BIASED RES XSTR
        11. 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
        12. 零件狀態(tài)：有源
        13. 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）
        14. 電流-集電極(Ic)（最大值）：500mA
        15. 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
        16. 電阻器-基極(R1)：13 千歐，130 歐姆
        17. 電阻器-發(fā)射極(R2)：10 千歐
        18. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V / 68 @ 100mA，5V
        19. 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 1mA，10mA
        20. 電流-集電極截止（最大值）：500nA
        21. 頻率-躍遷：-
        22. 功率-最大值：285mW
        23. 安裝類型：表面貼裝型
        24. 封裝：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
        25. NSVIMD10AMT1G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
          26. 

          

          

          

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