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          NGTD20T120F2WP
          

        3. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：模具
          5. 

        5. 技術(shù)參數(shù)：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
          6. 

        6. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號：NGTD20T120F2WP
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
        10. 描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
        11. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
        12. 產(chǎn)品系列：-
        13. 零件狀態(tài)：有源
        14. IGBT類型：溝槽型場截止
        15. 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
        16. 電流-集電極(Ic)（最大值）：-
        17. 電流-集電極脈沖(Icm)：100A
        18. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，20A
        19. 功率-最大值：-
        20. 開關(guān)能量：-
        21. 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
        22. 柵極電荷：-
        23. 25°C時Td（開/關(guān)）值：-
        24. 測試條件：-
        25. 反向恢復(fù)時間(trr)：-
        26. 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
        27. 安裝類型：表面貼裝型
        28. 封裝：模具
        29. NGTD20T120F2WP的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
          30. 

          

          

          

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