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          NGTB60N60SWG
          

        3. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
          5. 

        5. 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 120A 298W TO247
          6. 

        6. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過(guò)電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購(gòu)）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NGTB60N60SWG
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
        10. 描述：IGBT 600V 120A 298W TO247
        11. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
        12. 產(chǎn)品系列：-
        13. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
        14. IGBT類型：溝槽型場(chǎng)截止
        15. 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
        16. 電流-集電極(Ic)（最大值）：120A
        17. 電流-集電極脈沖(Icm)：240A
        18. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，60A
        19. 功率-最大值：298W
        20. 開(kāi)關(guān)能量：1.41mJ（開(kāi)），600μJ（關(guān)）
        21. 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
        22. 柵極電荷：173nC
        23. 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：87ns/180ns
        24. 測(cè)試條件：400V，60A，10 歐姆，15V
        25. 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：76ns
        26. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
        27. 安裝類型：通孔
        28. 封裝：TO-247-3
        29. NGTB60N60SWG的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
          30. 

          

          

          

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