NGTB30N135IHRWG
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
技術(shù)參數(shù):IGBT TRENCH/FS 1350V 60A TO247
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:NGTB30N135IHRWG制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:IGBT TRENCH/FS 1350V 60A TO247系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):有源IGBT類型:溝槽型場截止電壓-集射極擊穿(最大值):1350V電流-集電極(Ic)(最大值):60A電流-集電極脈沖(Icm):120A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.65V @ 15V,30A功率-最大值:394W開關(guān)能量:850μJ(關(guān))輸入類型:標準柵極電荷:234nC25°C時Td(開/關(guān))值:-/250ns測試條件:600V,30A,10 歐姆,15V反向恢復(fù)時間(trr):-工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-247-3NGTB30N135IHRWG的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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