NGTB15N60S1EG
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-220-3
技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 30A 117W TO220-3
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:NGTB15N60S1EG制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:IGBT 600V 30A 117W TO220-3系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):有源IGBT類型:NPT電壓-集射極擊穿(最大值):600V電流-集電極(Ic)(最大值):30A電流-集電極脈沖(Icm):120A不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,15A功率-最大值:117W開關(guān)能量:550μJ(開),350μJ(關(guān))輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)柵極電荷:88nC25°C時(shí)Td(開/關(guān))值:65ns/170ns測試條件:400V,15A,22 歐姆,15V反向恢復(fù)時(shí)間(trr):270ns工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-220-3NGTB15N60S1EG的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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