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          NGD8209NT4G
          

        3. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類別封裝：IGBT - 單路，TO-252-3，DPak
          5. 

        5. 技術(shù)參數(shù)：IGBT 410V 12A 125W DPAK-3
          6. 

        6. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號(hào): NGD8209NT4G
        9. 制造廠家名稱: ON Semiconductor
        10. 功能總體簡述: IGBT 410V 12A 125W DPAK-3
        11. 系列: -
        12. IGBT 類型: -
        13. 電壓 - 集射極擊穿（最大值）: 445V
        14. 電流 - 集電極（Ic）（最大值）: 12A
        15. 脈沖電流 - 集電極 (Icm): 30A
        16. 不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on）: 2.3V @ 4.5V，10A
        17. 功率 - 最大值: 94W
        18. 開關(guān)能量: -
        19. 輸入類型: 邏輯
        20. 柵極電荷: -
        21. 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值: -
        22. 測試條件: -
        23. 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）: -
        24. 產(chǎn)品封裝: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
        25. 安裝類型: 表面貼裝
        26. 供應(yīng)商器件封裝: DPAK
        27. NGD8209NT4G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
          28. 

          

          

          

          點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
          

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