NGD8201BNT4G
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:IGBT - 單路,TO-252-3,DPak
技術參數(shù):IGBT 400V 20A 125W DPAK-3
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參數(shù)詳情:
制造商產品型號: NGD8201BNT4G制造廠家名稱: ON Semiconductor功能總體簡述: IGBT 400V 20A 125W DPAK-3系列: -IGBT 類型: -電壓 - 集射極擊穿(最大值): 430V電流 - 集電極(Ic)(最大值): 15A脈沖電流 - 集電極 (Icm): 50A不同 Vge,Ic 時的 Vce(on): 1.8V @ 4.5V,10A功率 - 最大值: 115W開關能量: -輸入類型: 邏輯柵極電荷: -25°C 時 Td(開/關)值: -/4μs測試條件: 300V,6.5A,1 千歐反向恢復時間(trr): -產品封裝: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63安裝類型: 表面貼裝供應商器件封裝: DPAKNGD8201BNT4G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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