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          NGB8206ANSL3G
          

        3. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類別封裝：單路IGBT，D2PAK
          5. 

        5. 技術(shù)參數(shù)：IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
          6. 

        6. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號：NGB8206ANSL3G
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
        10. 描述：IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
        11. 系列：-
        12. IGBT 類型：-
        13. 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：390V
        14. 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：20A
        15. Current - Collector Pulsed (Icm)：50A
        16. 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：1.9V @ 4.5V，20A
        17. 功率 - 最大值：150W
        18. Switching Energy：-
        19. 輸入類型：邏輯
        20. Gate Charge：-
        21. 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：-/5μs
        22. Test Condition：300V，9A，1 千歐，5V
        23. 反向恢復(fù)時間 (trr)：-
        24. 產(chǎn)品封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
        25. 安裝類型：表面貼裝
        26. 供應(yīng)商器件封裝：D2PAK
        27. NGB8206ANSL3G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
          28. 

          

          

          

          點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
          

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