NCS20092DR2G
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:線性器件 - 放大器 - 儀器、運算放大器、緩沖放大器,產(chǎn)品封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
技術參數(shù):IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:NCS20092DR2G制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC產(chǎn)品系列:線性器件 - 放大器 - 儀器、運算放大器、緩沖放大器包裝:卷帶(TR)系列:-零件狀態(tài):有源放大器類型:通用電路數(shù):2輸出類型:滿擺幅壓擺率:0.15V/μs增益帶寬積:350kHz-3db帶寬:-電流-輸入偏置:1pA電壓-輸入補償:500μV電流-供電:23μA(x2 通道)電流-輸出/通道:8.5mA電壓-供電,單/雙?(±):1.8V ~ 5.5V工作溫度:-40°C ~ 125°C安裝類型:表面貼裝型產(chǎn)品封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)NCS20092DR2G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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