NCP5901DR2G
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:電源管理IC - 柵極驅(qū)動器,產(chǎn)品封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
技術(shù)參數(shù):IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:NCP5901DR2G制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC產(chǎn)品系列:電源管理IC - 柵極驅(qū)動器包裝:卷帶(TR),剪切帶(CT)系列:-零件狀態(tài):有源驅(qū)動配置:半橋通道類型:同步驅(qū)動器數(shù):2柵極類型:N 溝道 MOSFET電壓-供電:4.5V ~ 13.2V邏輯電壓?-VIL,VIH:1V,2V電流-峰值輸出(灌入,拉出):-輸入類型:非反相高壓側(cè)電壓-最大值(自舉):35V上升/下降時間(典型值):16ns,11ns工作溫度:0°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型產(chǎn)品封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)NCP5901DR2G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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