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          NCP5181DR2G
          

        3. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類別封裝：電源管理IC - 柵極驅(qū)動器，產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
          5. 

        5. 技術(shù)參數(shù)：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
          6. 

        6. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號：NCP5181DR2G
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
        10. 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
        11. 產(chǎn)品系列：電源管理IC - 柵極驅(qū)動器
        12. 包裝：卷帶（TR）,剪切帶（CT）
        13. 系列：-
        14. 零件狀態(tài)：有源
        15. 驅(qū)動配置：半橋
        16. 通道類型：獨(dú)立式
        17. 驅(qū)動器數(shù)：2
        18. 柵極類型：N 溝道 MOSFET
        19. 電壓-供電：10V ~ 20V
        20. 邏輯電壓?-VIL，VIH：0.8V，2.3V
        21. 電流-峰值輸出（灌入，拉出）：1.4A，2.2A
        22. 輸入類型：非反相
        23. 高壓側(cè)電壓-最大值（自舉）：600V
        24. 上升/下降時(shí)間（典型值）：40ns，20ns
        25. 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
        26. 安裝類型：表面貼裝型
        27. 產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
        28. NCP5181DR2G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
          29. 

          

          

          

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