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          N57L5125TBD00TG供應商
          

          

          

          

          

          產(chǎn)品參考圖片
          

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          N57L5125TBD00TG
          

        3. 制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類別封裝：數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器，產(chǎn)品封裝：SOT-23-6
          5. 

        5. 技術(shù)參數(shù)：IC DGT POT 100KOHM 32TAP SOT23-6
          6. 

        6. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號：N57L5125TBD00TG
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）
        10. 描述：IC DGT POT 100KOHM 32TAP SOT23-6
        11. 產(chǎn)品系列：數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器
        12. 包裝：卷帶（TR）
        13. 系列：-
        14. 零件狀態(tài)：有源
        15. 圓錐：線性
        16. 配置：電位計
        17. 電路數(shù)：1
        18. 抽頭數(shù)：32
        19. 電阻(歐姆)：100k
        20. 接口：上/下（U/D，CS）
        21. 存儲器類型：-
        22. 電壓-供電：2.7V ~ 5.5V
        23. 特性：-
        24. 容差：-
        25. 溫度系數(shù)（典型值）：30ppm/°C
        26. 安裝類型：表面貼裝型
        27. 供應商器件封裝：SOT-23-6
        28. 產(chǎn)品封裝：SOT-23-6
        29. 工作溫度：-40°C ~ 85°C
        30. N57L5125TBD00TG的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
          31. 

          

          

          

          點擊下圖下載技術(shù)文檔
          

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