N21C21ASNDT3G
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:存儲器,產(chǎn)品封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
技術參數(shù):IC EPROM 1KBIT 1-WIRE SOT23-3
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:N21C21ASNDT3G制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IC EPROM 1KBIT 1-WIRE SOT23-3產(chǎn)品系列:存儲器包裝:卷帶(TR)系列:-零件狀態(tài):有源存儲器類型:非易失存儲器格式:EPROM技術:EPROM - OTP存儲容量:1Kb(128 x 8)存儲器接口:1-Wire?時鐘頻率:-寫周期時間-字,頁:5μs訪問時間:-電壓-供電:2.65V ~ 5.5V工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)安裝類型:表面貼裝型產(chǎn)品封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3N21C21ASNDT3G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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