MMBTA13LT1G
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個,封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
技術參數:TRANS NPN DARL 30V 300MA SOT23-3
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參數詳情:
制造商產品型號:MMBTA13LT1G制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:TRANS NPN DARL 30V 300MA SOT23-3系列:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個產品系列:-零件狀態(tài):有源晶體管類型:NPN - 達林頓電流-集電極(Ic)(最大值):300mA電壓-集射極擊穿(最大值):30V不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):1.5V @ 100μA,100mA電流-集電極截止(最大值):100nA(ICBO)不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):10000 @ 100mA,5V功率-最大值:225mW頻率-躍遷:125MHz工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3MMBTA13LT1G的訂貨細節(jié)及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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