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          MCR08BT1G
          

        3. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類別封裝：單個SCR，SOT-223
          5. 

        5. 技術(shù)參數(shù)：THYRISTOR SCR 0.8A 200V SOT223
          6. 

        6. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號：MCR08BT1G
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
        10. 描述：THYRISTOR SCR 0.8A 200V SOT223
        11. 系列：-
        12. 電壓 - 斷態(tài)：200V
        13. 電壓 - 柵極觸發(fā) (Vgt)（最大值）：800mV
        14. 電流 - 柵極觸發(fā) (Igt)（最大值）：200μA
        15. 電壓 - 通態(tài) (Vtm)（最大值）：1.7V
        16. 電流 - 通態(tài) (It (AV))（最大值）：-
        17. 電流 - 通態(tài) (It (RMS))（最大值）：800mA
        18. 電流 - 保持 (Ih)（最大值）：5mA
        19. 電流 - 斷態(tài)（最大值）：10μA
        20. 電流 - 不重復(fù)浪涌 50、60Hz (Itsm)：8A @ 60Hz
        21. SCR 類型：靈敏柵極
        22. 工作溫度：-40°C ~ 110°C
        23. 安裝類型：表面貼裝
        24. 產(chǎn)品封裝：TO-261-4，TO-261AA
        25. 供應(yīng)商器件封裝：SOT-223
        26. MCR08BT1G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
          27. 

          

          

          

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