MCR08BT1G
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:單個SCR,SOT-223
技術(shù)參數(shù):THYRISTOR SCR 0.8A 200V SOT223
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:MCR08BT1G制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:THYRISTOR SCR 0.8A 200V SOT223系列:-電壓 - 斷態(tài):200V電壓 - 柵極觸發(fā) (Vgt)(最大值):800mV電流 - 柵極觸發(fā) (Igt)(最大值):200μA電壓 - 通態(tài) (Vtm)(最大值):1.7V電流 - 通態(tài) (It (AV))(最大值):-電流 - 通態(tài) (It (RMS))(最大值):800mA電流 - 保持 (Ih)(最大值):5mA電流 - 斷態(tài)(最大值):10μA電流 - 不重復(fù)浪涌 50、60Hz (Itsm):8A @ 60HzSCR 類型:靈敏柵極工作溫度:-40°C ~ 110°C安裝類型:表面貼裝產(chǎn)品封裝:TO-261-4,TO-261AA供應(yīng)商器件封裝:SOT-223MCR08BT1G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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