MC10EP08DR2G
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:邏輯 - 柵極和逆變器 - 多功能,可配置,產(chǎn)品封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
技術(shù)參數(shù):IC GATE XOR/XNOR ECL 2INP 8-SOIC
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:MC10EP08DR2G制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:IC GATE XOR/XNOR ECL 2INP 8-SOIC產(chǎn)品系列:邏輯 - 柵極和逆變器 - 多功能,可配置包裝:卷帶(TR)系列:10EP零件狀態(tài):有源邏輯類型:異或/異或非門電路數(shù):1輸入數(shù):2 輸入(1,1)施密特觸發(fā)器輸入:無輸出類型:差分電流-輸出高、低:-電壓-供電:3V ~ 5.5V工作溫度:-40°C ~ 85°C安裝類型:表面貼裝型產(chǎn)品封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)MC10EP08DR2G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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