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        4. 制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
        5. 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:TO-220-3
        6. 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-3
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        9. 參數(shù)詳情:
        10. 制造商產(chǎn)品型號:IRF634B-FP001
        11. 制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)
        12. 描述:MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-3
        13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
        14. 產(chǎn)品系列:-
        15. 零件狀態(tài):不適用於新設(shè)計
        16. FET類型:N 通道
        17. 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
        18. 漏源電壓(Vdss):250V
        19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):8.1A(Tc)
        20. 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
        21. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):450 毫歐 @ 4.05A,10V
        22. 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
        23. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):38nC @ 10V
        24. Vgs(最大值):±30V
        25. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1000pF @ 25V
        26. FET功能:-
        27. 功率耗散(最大值):74W(Tc)
        28. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
        29. 安裝類型:通孔
        30. 器件封裝:TO-220-3
        31. IRF634B-FP001的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
        32. 點擊下圖下載技術(shù)文檔
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