HGTG40N60A4
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 75A TO247-3
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:HGTG40N60A4制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:IGBT 600V 75A TO247-3系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):不適用於新設(shè)計(jì)IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):600V電流-集電極(Ic)(最大值):75A電流-集電極脈沖(Icm):300A不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,40A功率-最大值:625W開關(guān)能量:400μJ(開),370μJ(關(guān))輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)柵極電荷:350nC25°C時(shí)Td(開/關(guān))值:25ns/145ns測試條件:390V,40A,2.2歐姆,15V反向恢復(fù)時(shí)間(trr):-工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-247-3HGTG40N60A4的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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