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          HGTG20N60A4
        4. 制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
        5. 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
        6. 技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 70A TO247-3
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        9. 參數(shù)詳情:
        10. 制造商產(chǎn)品型號:HGTG20N60A4
        11. 制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)
        12. 描述:IGBT 600V 70A TO247-3
        13. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
        14. 產(chǎn)品系列:-
        15. 零件狀態(tài):最後搶購
        16. IGBT類型:-
        17. 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
        18. 電流-集電極(Ic)(最大值):70A
        19. 電流-集電極脈沖(Icm):280A
        20. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A
        21. 功率-最大值:290W
        22. 開關(guān)能量:105μJ(開),150μJ(關(guān))
        23. 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
        24. 柵極電荷:142nC
        25. 25°C時(shí)Td(開/關(guān))值:15ns/73ns
        26. 測試條件:390V,20A,3 歐姆,15V
        27. 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):-
        28. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
        29. 安裝類型:通孔
        30. 封裝:TO-247-3
        31. HGTG20N60A4的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
        32. 點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
          HGTG20N60A4的技術(shù)資料下載
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