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          HGTG10N120BND供應(yīng)商
          

          

          

          

          

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          HGTG10N120BND
          

        3. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
          5. 

        5. 技術(shù)參數(shù)：IGBT NPT 1200V 35A TO247-3
          6. 

        6. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號：HGTG10N120BND
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
        10. 描述：IGBT NPT 1200V 35A TO247-3
        11. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
        12. 產(chǎn)品系列：-
        13. 零件狀態(tài)：不適用於新設(shè)計
        14. IGBT類型：NPT
        15. 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
        16. 電流-集電極(Ic)（最大值）：35A
        17. 電流-集電極脈沖(Icm)：80A
        18. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，10A
        19. 功率-最大值：298W
        20. 開關(guān)能量：850μJ（開），800μJ（關(guān)）
        21. 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
        22. 柵極電荷：100nC
        23. 25°C時Td（開/關(guān)）值：23ns/165ns
        24. 測試條件：960V，10A，10 歐姆，15V
        25. 反向恢復(fù)時間(trr)：70ns
        26. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
        27. 安裝類型：通孔
        28. 封裝：TO-247-3
        29. HGTG10N120BND的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
          30. 

          

          

          

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