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          ON安森美，安森美半導(dǎo)體，安森美代理商
          

          

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          HGT1S7N60A4DS供應(yīng)商
          

          

          

          

          

          產(chǎn)品參考圖片
          

          HGT1S7N60A4DS參考圖片
          

          安森美（ON）產(chǎn)品標志
          

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          HGT1S7N60A4DS
          

        3. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
          5. 

        5. 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 34A 125W TO263AB
          6. 

        6. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號：HGT1S7N60A4DS
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
        10. 描述：IGBT 600V 34A 125W TO263AB
        11. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
        12. 產(chǎn)品系列：-
        13. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
        14. IGBT類型：-
        15. 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
        16. 電流-集電極(Ic)（最大值）：34A
        17. 電流-集電極脈沖(Icm)：56A
        18. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，7A
        19. 功率-最大值：125W
        20. 開關(guān)能量：55μJ（開），60μJ（關(guān)）
        21. 輸入類型：標準
        22. 柵極電荷：37nC
        23. 25°C時Td（開/關(guān)）值：11ns/100ns
        24. 測試條件：390V，7A，25 歐姆，15V
        25. 反向恢復(fù)時間(trr)：34ns
        26. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
        27. 安裝類型：表面貼裝型
        28. 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
        29. HGT1S7N60A4DS的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
          30. 

          

          

          

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