HGT1S14N36G3VLT
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
技術參數(shù):IGBT 390V 18A 100W TO262AA
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:HGT1S14N36G3VLT制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 390V 18A 100W TO262AA系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):停產(chǎn)IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):390V電流-集電極(Ic)(最大值):18A電流-集電極脈沖(Icm):-不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.2V @ 5V,14A功率-最大值:100W開關能量:-輸入類型:邏輯柵極電荷:24nC25°C時Td(開/關)值:-/7μs測試條件:300V,7A,25歐姆,5V反向恢復時間(trr):-工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AAHGT1S14N36G3VLT的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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