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          H11F1W
          

        3. 制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類別封裝：光隔離器 - 晶體管，光電輸出，封裝：6-DIP（0.400，10.16mm）
          5. 

        5. 技術(shù)參數(shù)：OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP
          6. 

        6. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號：H11F1W
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）
        10. 描述：OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP
        11. 系列：光隔離器 - 晶體管，光電輸出
        12. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
        13. 通道數(shù)：1
        14. 電壓-隔離：5300Vrms
        15. 電流傳輸比（最小值）：-
        16. 電流傳輸比（最大值）：-
        17. 接通/關(guān)斷時間（典型值）：25μs，25μs（最大）
        18. 上升/下降時間（典型值）：-
        19. 輸入類型：DC
        20. 輸出類型：MOSFET
        21. 電壓-輸出（最大值）：30V
        22. 電流-輸出/通道：-
        23. 電壓-正向(Vf)（典型值）：1.3V
        24. 電流-DC正向(If)（最大值）：60mA
        25. Vce飽和壓降（最大）：-
        26. 工作溫度：-55°C ~ 100°C
        27. 安裝類型：通孔
        28. 封裝：6-DIP（0.400，10.16mm）
        29. H11F1W的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
          30. 

          

          

          

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