FQI11P06TU
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：I2PAK（TO-262）
技術參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：FQI11P06TU制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產(chǎn)品系列：QFET?零件狀態(tài)：停產(chǎn)FET類型：P 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：60V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：11.4A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：175 毫歐 @ 5.7A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：17nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：550pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.13W（Ta），53W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：通孔器件封裝：I2PAK（TO-262）FQI11P06TU的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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