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      FQB17N08LTM
      

    2. 制造廠(chǎng)商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
      3. 

    3. 類(lèi)別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：D2PAK（TO-263AB）
      4. 

    4. 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
      5. 

    5. （專(zhuān)注銷(xiāo)售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
      6. 

    6. （您可通過(guò)電話(huà)、微信、QQ或郵件與銷(xiāo)售代表聯(lián)系詢(xún)價(jià)及采購(gòu)）
      7. 

      參數(shù)詳情：
      

    7. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：FQB17N08LTM
    8. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
    9. 描述：MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
    10. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
    11. 產(chǎn)品系列：QFET?
    12. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
    13. FET類(lèi)型：N 通道
    14. 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
    15. 漏源電壓（Vdss）：80V
    16. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：16.5A（Tc）
    17. 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
    18. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：100 毫歐 @ 8.25A，10V
    19. 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
    20. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：11.5nC @ 5V
    21. Vgs（最大值）：±20V
    22. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：520pF @ 25V
    23. FET功能：-
    24. 功率耗散（最大值）：3.75W（Ta），65W（Tc）
    25. 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
    26. 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
    27. 器件封裝：D2PAK（TO-263AB）
    28. FQB17N08LTM的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷(xiāo)售代表確認(rèn)。
      29. 

      

      

      

      點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
      

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