FPF1C2P5MF07AM
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - IGBT - 模塊,封裝:F1 模塊
技術(shù)參數(shù):IGBT MODULE 620V 39A 231W F1
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FPF1C2P5MF07AM制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:IGBT MODULE 620V 39A 231W F1系列:晶體管 - IGBT - 模塊零件狀態(tài):有源IGBT類型:-配置:全橋反相器電壓-集射極擊穿(最大值):620V電流-集電極(Ic)(最大值):39A功率-最大值:231W不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):1.6V @ 15V,30A電流-集電極截止(最大值):25μA不同?Vce時輸入電容(Cies):-輸入:單相橋式整流器NTC熱敏電阻:無工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:底座安裝封裝:F1 模塊FPF1C2P5MF07AM的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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