FGY100T65SCDT
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
技術(shù)參數(shù):FS3TIGBT TO247 100A 650V
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FGY100T65SCDT制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:FS3TIGBT TO247 100A 650V系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):最後搶購IGBT類型:溝槽型場截止電壓-集射極擊穿(最大值):650V電流-集電極(Ic)(最大值):200A電流-集電極脈沖(Icm):300A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,100A功率-最大值:750W開關(guān)能量:5.4mJ(開),3.8mJ(關(guān))輸入類型:標準柵極電荷:157nC25°C時Td(開/關(guān))值:84ns/216ns測試條件:400V,100A,4.7 歐姆,15V反向恢復(fù)時間(trr):62ns工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-247-3FGY100T65SCDT的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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