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        2. 

          

          

          ON安森美，安森美半導(dǎo)體，安森美代理商
          

          

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          FGH75T65SQDT_F155供應(yīng)商
          

          

          

          

          

          產(chǎn)品參考圖片
          

          FGH75T65SQDT_F155參考圖片
          

          安森美（ON）產(chǎn)品標(biāo)志
          

          承諾原裝正品
          

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          聯(lián)系方式
          

          

          

          

          FGH75T65SQDT_F155
          

        3. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類(lèi)別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
          5. 

        5. 技術(shù)參數(shù)：650V FS4 TRENCH IGBT
          6. 

        6. （專(zhuān)注銷(xiāo)售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過(guò)電話(huà)、微信、QQ或郵件與銷(xiāo)售代表聯(lián)系詢(xún)價(jià)及采購(gòu)）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：FGH75T65SQDT_F155
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
        10. 描述：650V FS4 TRENCH IGBT
        11. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
        12. 產(chǎn)品系列：-
        13. 零件狀態(tài)：有源
        14. IGBT類(lèi)型：溝槽型場(chǎng)截止
        15. 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
        16. 電流-集電極(Ic)（最大值）：150A
        17. 電流-集電極脈沖(Icm)：300A
        18. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A
        19. 功率-最大值：375W
        20. 開(kāi)關(guān)能量：300μJ（開(kāi)），70μJ（關(guān)）
        21. 輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
        22. 柵極電荷：128nC
        23. 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：23ns/120ns
        24. 測(cè)試條件：400V，18.8A，4.7 歐姆，15V
        25. 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：76ns
        26. 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
        27. 安裝類(lèi)型：通孔
        28. 封裝：TO-247-3
        29. FGH75T65SQDT_F155的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷(xiāo)售代表確認(rèn)。
          30. 

          

          

          

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