FGD3050G2V
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
技術(shù)參數(shù):IGBT 500V 27A DPAK-3
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FGD3050G2V制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 500V 27A DPAK-3系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列:*零件狀態(tài):有源IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):500V電流-集電極(Ic)(最大值):32A電流-集電極脈沖(Icm):-不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):1.2V @ 4V,6A功率-最大值:150W開關(guān)能量:-輸入類型:邏輯柵極電荷:22nC25°C時Td(開/關(guān))值:-測試條件:-反向恢復時間(trr):-工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63FGD3050G2V的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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