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          FGB40N6S2T供應商
          

          

          

          

          

          產(chǎn)品參考圖片
          

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          安森美（ON）產(chǎn)品標志
          

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          FGB40N6S2T
          

        3. 制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
          5. 

        5. 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 75A 290W TO263AB
          6. 

        6. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號：FGB40N6S2T
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）
        10. 描述：IGBT 600V 75A 290W TO263AB
        11. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
        12. 產(chǎn)品系列：-
        13. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
        14. IGBT類型：-
        15. 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
        16. 電流-集電極(Ic)（最大值）：75A
        17. 電流-集電極脈沖(Icm)：180A
        18. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，20A
        19. 功率-最大值：290W
        20. 開關(guān)能量：115μJ（開），195μJ（關(guān)）
        21. 輸入類型：標準
        22. 柵極電荷：35nC
        23. 25°C時Td（開/關(guān)）值：8ns/35ns
        24. 測試條件：390V，20A，3 歐姆，15V
        25. 反向恢復時間(trr)：-
        26. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
        27. 安裝類型：表面貼裝型
        28. 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
        29. FGB40N6S2T的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
          30. 

          

          

          

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