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        4. 制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
        5. 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-3P-3 整包
        6. 技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 40A TO3PF
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        9. 參數(shù)詳情:
        10. 制造商產(chǎn)品型號:FGAF40N60UFDTU
        11. 制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)
        12. 描述:IGBT 600V 40A TO3PF
        13. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
        14. 產(chǎn)品系列:-
        15. 零件狀態(tài):不適用於新設計
        16. IGBT類型:-
        17. 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
        18. 電流-集電極(Ic)(最大值):40A
        19. 電流-集電極脈沖(Icm):160A
        20. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):3V @ 15V,20A
        21. 功率-最大值:100W
        22. 開關(guān)能量:470μJ(開),130μJ(關(guān))
        23. 輸入類型:標準
        24. 柵極電荷:77nC
        25. 25°C時Td(開/關(guān))值:15ns/65ns
        26. 測試條件:300V,20A,10 歐姆,15V
        27. 反向恢復時間(trr):95ns
        28. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
        29. 安裝類型:通孔
        30. 封裝:TO-3P-3 整包
        31. FGAF40N60UFDTU的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
        32. 點擊下圖下載技術(shù)文檔
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