FGAF40N60UFDTU
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-3P-3 整包
技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 40A TO3PF
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FGAF40N60UFDTU制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 600V 40A TO3PF系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):不適用於新設計IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):600V電流-集電極(Ic)(最大值):40A電流-集電極脈沖(Icm):160A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):3V @ 15V,20A功率-最大值:100W開關(guān)能量:470μJ(開),130μJ(關(guān))輸入類型:標準柵極電荷:77nC25°C時Td(開/關(guān))值:15ns/65ns測試條件:300V,20A,10 歐姆,15V反向恢復時間(trr):95ns工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-3P-3 整包FGAF40N60UFDTU的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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