FGA20N120FTDTU
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-3P-3,SC-65-3
技術參數:IGBT 1200V 40A 298W TO3PN
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參數詳情:
制造商產品型號:FGA20N120FTDTU制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT 1200V 40A 298W TO3PN系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態(tài):最後搶購IGBT類型:溝槽型場截止電壓-集射極擊穿(最大值):1200V電流-集電極(Ic)(最大值):40A電流-集電極脈沖(Icm):60A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,20A功率-最大值:298W開關能量:-輸入類型:標準柵極電荷:137nC25°C時Td(開/關)值:-測試條件:-反向恢復時間(trr):447ns工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-3P-3,SC-65-3FGA20N120FTDTU的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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