FGA120N30DTU
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-3P-3,SC-65-3
技術(shù)參數(shù):IGBT 300V 120A 290W TO3P
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FGA120N30DTU制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:IGBT 300V 120A 290W TO3P系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):停產(chǎn)IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):300V電流-集電極(Ic)(最大值):120A電流-集電極脈沖(Icm):300A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,25A功率-最大值:290W開關(guān)能量:-輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)柵極電荷:120nC25°C時Td(開/關(guān))值:-測試條件:-反向恢復(fù)時間(trr):21ns工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-3P-3,SC-65-3FGA120N30DTU的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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