FDS8960C
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
技術(shù)參數(shù):MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FDS8960C制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列產(chǎn)品系列:PowerTrench?零件狀態(tài):停產(chǎn)FET類型:N 和 P 溝道FET功能:邏輯電平門漏源電壓(Vdss):35V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):7A,5A不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):24 毫歐 @ 7A,10V不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):7.7nC @ 5V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):570pF @ 15V功率-最大值:900mW工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)FDS8960C的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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