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          FDS4935BZ
          

        3. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
          5. 

        5. 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
          6. 

        6. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號：FDS4935BZ
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
        10. 描述：MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
        11. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
        12. 產(chǎn)品系列：PowerTrench?
        13. 零件狀態(tài)：有源
        14. FET類型：2 個 P 溝道（雙）
        15. FET功能：邏輯電平門
        16. 漏源電壓（Vdss）：30V
        17. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：6.9A
        18. 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：22 毫歐 @ 6.9A，10V
        19. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
        20. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
        21. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1360pF @ 15V
        22. 功率-最大值：900mW
        23. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
        24. 安裝類型：表面貼裝型
        25. 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
        26. FDS4935BZ的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
          27. 

          

          

          

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