FDS4897C
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
技術參數(shù):MOSFET N/P-CH 40V 6.2/4.4A 8SOIC
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FDS4897C制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:MOSFET N/P-CH 40V 6.2/4.4A 8SOIC系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列產(chǎn)品系列:PowerTrench?零件狀態(tài):有源FET類型:N 和 P 溝道FET功能:邏輯電平門漏源電壓(Vdss):40V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):6.2A,4.4A不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):29 毫歐 @ 6.2A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):20nC @ 10V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):760pF @ 20V功率-最大值:900mW工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)FDS4897C的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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